Générateur de jets moléculaires par craquage thermique pour la fabrication de semi-conducteurs par dépôt épitaxial

Generator of molecular beams by thermal decomposition for the production of semiconductors by epitaxial deposition

Molekularstrahlgenerator durch thermische Zersetzung für die Halbleiterherstellung durch Epitaxieabscheidung

Abstract

Le craquage de l'arsine ou de la phosphine utilisée pour former un jet moléculaire d'arsenic ou de phosphore est réalisée sur les surfaces intérieures d'un conduit de craquage (11) constitué de quartz ou de nitrure de bore et chauffé de l'extérieur par le rayonnement d'un filament 30. Des cloisons intérieures percées (6a, 6b, 6c et 6d) augmentent la surface de craquage et empêchent une molécule de traverser le conduit en ligne droite.

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    FR-2572099-A1April 25, 1986Comp Generale ElectriciteGenerateur de jets moleculaires par craquage thermique pour la fabrication de semi-conducteurs par depot epitaxial
    GB-2080271-AFebruary 03, 1982Western Electric CoMolecular beam deposition using gaseous source of group v element

NO-Patent Citations (1)

    Title
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 55, no. 10, 15 mai 1984, pages 3571-3576, American Institute of Physics, New York, US; M.B. PANISH et al.: "Gas source molecular beam epitaxy of GaxInl-xPyAsl-y"

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle